Sumitomo Electric Industries, Ltd. 및 Osaka Metropolitan University (위치 : 오사카 현; 대통령 : Hiroyuki Sakuragi; Highinafter "Omu")는 galium nitride transistor (이하 PC PC)에 갤륨의 폴리 슈터 (Gan-Hemt)를 성공적으로 제작했습니다. 일본 과학 기술 기관 (JST)과의 연구 프로젝트*. 이 기술은 모바일 및 위성 통신에서 핵심 장치의 더 높은 용량과 낮은 전력 소비를 달성하기위한 중요한 단계입니다.

이전에, 폴리 크라이스트 톨린 바카라 사이트의 큰 입자 크기와 열악한 표면 거칠기 (5-6 nm)로 인해 솔더 또는 결합 물질이없는 GAN 층에 직접 결합이 어려웠습니다. 그러나, Sumitomo Electric은 바카라 사이트 기판 연마 기술을 활용하여 표면 거칠기를 기존 수준의 절반으로 줄이고 OMU의 기술을 통합하여 SI 기판에서 GAN 층을 Polycrystalline Diamond로 전달함으로써 GAN 층을 2 인치 다결정 바카라 사이트 기판에 직접 결합하는 데 성공했습니다. Consequntly, 우리는 다결정 바카라 사이트의 GAN 구조와 균일 한 열 소산 특성을 보여 주었다. 이 연구에 사용 된 GAN 층은 Air Water Inc.에 의해 SI 기판의 GAN/SIC 에피 택셜 층으로 제공되었습니다.

향후, 우리는 미사 생산을 목표로하는 4 인치 기판을 사용하여 장치 성능을 개발하고 결합 조건을 최적화하면서 프로세스를 가속화 할 것입니다..

각 조직이 소유 한 기술
OMU
SI 기판에서 자란 GAN/SIC 에피 택셜 층을 GAN-HEMT 장치를 제조하기 위해 바카라 사이트 기판으로 전달하는 기술

Sumitomo Electric
방열판 및 본딩 도구와 같은 도구 제품에 사용 된 대형 다결정 바카라 사이트 기판을위한 제조 및 연마 기술

＊이 작업은 일본 과학 및 기술 기관 (JST)의 목표 중심 R & D (A-Step)를 통해 적응성 및 원활한 기술 전송 프로그램에 의해 지원됩니다.